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【2h】

P-Type Tunnel FETs With Triple Heterojunctions

机译：具有三个异质结的p型隧道FET

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A triple-heterojunction (3HJ) design is employed to improve p-type InAs/GaSbheterojunction (HJ) tunnel FETs. The added two HJs (AlInAsSb/InAs in the sourceand GaSb/AlSb in the channel) significantly shorten the tunnel distance andcreate two resonant states, greatly improving the ON state tunnelingprobability. Moreover, the source Fermi degeneracy is reduced by the increasedsource (AlInAsSb) density of states and the OFF state leakage is reduced by theheavier channel (AlSb) hole effective masses. Quantum ballistic transportsimulations show, that with V_{DD} = 0.3V and I_{OFF} = 10^{-3}A/m, I_{ON} of582A=m (488A=m) is obtained at 30nm (15nm) channel length, which is comparableto n-type 3HJ counterpart and significantly exceeding p-type silicon MOSFET.Simultaneously, the nonlinear turn on and delayed saturation in the outputcharacteristics are also greatly improved.
机译：采用三异质结（3HJ）设计来改善p型InAs / GaSb异质结（HJ）隧道FET。添加了两个HJ（源中的AlInAsSb / InAs和通道中的GaSb / AlSb）显着缩短了隧道距离并创建了两个谐振状态，从而大大提高了ON状态隧穿的可能性。此外，通过增加源（AlInAsSb）态密度来降低源费米简并性，并且通过较重通道（AlSb）空穴有效质量来降低截止态泄漏。量子弹道传输仿真显示，在V_ {DD} = 0.3V且I_ {OFF} = 10 ^ {-3} A / m的情况下，在30nm（15nm）的通道上获得了582A = m（488A = m）的I_ {ON}长度与n型3HJ相当，大大超过了p型硅MOSFET。同时，非线性特性和输出特性的延迟饱和也得到了极大的改善。

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